Sadržaj:
Samsung nastavlja napredovati u razvoju čipova koji značajno poboljšavaju performanse, energetsku optimizaciju i autonomiju svojih mobilnih terminala. U tim terminima, upravo je objavio da su njegovi inženjeri u procesu razvoja novog tri-nanometarskog čipa, izgrađenog od tehnologije 'Get-all-around', koja zamjenjuje trenutni FinFET sistem za prešanje. S ovim novim čipom ugrađenim u tri nanometra svjedočili bismo istinskoj evoluciji, prilagođavajući se novim tehnologijama umjetne inteligencije i autonomne vožnje.
3-nanometarski čipovi trošit će pola baterije od trenutnih
Ako usporedimo čip izrađen u tri nanometra s onim za koji trenutno znamo da je proizveden u sedam nanometara, to bi smanjilo veličinu čipa do 45%, 50% manje potrošnje energije i povećanje učinkovitosti za 35%. Nova tehnologija 'Get-all-around' koju je patentirao Samsung koristi vertikalnu nanosheet arhitekturu (dvodimenzionalna nanostruktura debljine na skali od 1 do 10 nanometara), omogućavajući veću električnu struju po bateriji u odnosu na trenutni FinFET postupak.
Prošlog travnja Samsung je sa svojim kupcima već podijelio prvi razvojni komplet za ovaj novi čip, skraćujući njegovo lansiranje na tržište i poboljšavajući konkurentnost svog dizajna. Trenutno su Samsung inženjeri duboko u području poboljšanja performansi i energetske učinkovitosti. Ako ne možemo staviti baterije posljednjih tjedana, morat ćemo poboljšati procesore.
Uz novi čip ugrađen u tri nanometra, Samsung planira započeti masovnu proizvodnju procesora za uređaje, ugrađene u šest nanometara, u drugoj polovici ove godine. FinFET postupak koji uspije sastaviti pet nanometara trebao bi se pojaviti do kraja godine, a njegova masovna proizvodnja očekuje se u prvoj polovici iduće godine. Uz to, tvrtka se također priprema za razvoj četverometarskih procesora kasnije ove godine. U kojem će se trenutku pojaviti dugo očekivani čipovi ugrađeni u tri nanometra? Još je prerano reći.
